- ナガモリアクチュエータ研究所
- 特任教授
専門分野 | 半導体工学、電子材料工学、エネルギー変換素子 |
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所属学会 | 応用物理学会、電子情報通信学会、電気学会、日本結晶成長学会、 Institute of Electrical and Electronics Engineers（IEEE) |
担当科目 | 半導体工学 |
学位 | 工学博士（京都大学） |
略歴 | 1964年4月 京都大学工学研究科、半導体工学講座 助手 2023年5月に米国電気電子学会(IEEE)からIEEE Edison Medal 2023 |
業績・受賞歴 | 2023年5月に米国電気電子学会(IEEE)からIEEE Edison Medal 2023 |
問い合わせ先 | 075-496-6209 |
研究内容
研磨材、耐火レンガ用材料であったSiC（シリコンカーバイド）半導体の高品質単結晶製作法を1987年に世界で初めて達成、その物性解明およびデバイス試作と評価、パワーデバイスとしてSchottkyダイオード、MOSFETを試作して世界へ提示してきた。各種の国家プロジェクトを立案し、日本の産業界がSiCパワーデバイスを大量に生産する道筋を立てた。これが功を征し、鉄道、自動車、エレベータ、エアコン、太陽電池用パワコンなどに使われ、社会実装として世界をリードしている。電力利用における省エネルギーと環境負荷低減を通じて地球温暖化防止に役立たせるために、そのリードを保つことを期待している。朝日賞、IEEE David Sarnoff Award、本田賞などを授与された。
著書
半導体工学（第2版）、朝倉書店、2014年（単著）
半導体SiCの技術と応用（第2版）、日刊工業新聞社、2011年（共著）
Silicon Carbide I,II、Academie Cerlag、1997（共著）
Silicon Carbide,Recent Major Advances、Springer、2003 （共著）
メッセージ
基礎をしっかり勉強し、実社会で使われるテーマを考案する努力をして欲しい。自分で考えて、先達が説明することに合点がいかないときは遠慮なく質問すること、他人がやらない研究・開発を積極的に考案することを勧める。英語力を伸ばして欲しい。