本学ナガモリアクチュエータ研究所の松波弘之特任教授はSiC（シリコンカーバイド）半導体の高品質単結晶製作法を1987年に達成し、実用化に寄与されました。
今後、電気自動車向けなどへの需要拡大が期待されるSiC（シリコンカーバイド）半導体
についてインタビューを受けた内容が各紙WEBサイトで公開されていますので、ぜひご覧ください。
次世代半導体の生みの親であるナガモリアクチュエータ研究所 松波特任教授のインタビュー記事が各紙に掲載
本学ナガモリアクチュエータ研究所の松波弘之特任教授はSiC（シリコンカーバイド）半導体の高品質単結晶製作法を1987年に達成し、実用化に寄与されました。
今後、電気自動車向けなどへの需要拡大が期待されるSiC（シリコンカーバイド）半導体
についてインタビューを受けた内容が各紙WEBサイトで公開されていますので、ぜひご覧ください。